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ISC0802NLSATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 1,670 |
| 50+ | € 1,240 |
| 250+ | € 0,919 |
| 1000+ | € 0,765 |
| 3000+ | € 0,698 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerISC0802NLSATMA1
Bestellnummer3794546
ProduktpaletteOptiMOS 5
Auch bekannt alsSP005430372, ISC0802NLS
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id150A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0033ohm
Bauform - TransistorTDSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.6V
Verlustleistung125W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteOptiMOS 5
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
150A
Bauform - Transistor
TDSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
125W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0033ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.6V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 5
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000121
Produktnachverfolgung