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ISC0804NLSATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerISC0804NLSATMA1
Bestellnummer3794548RL
ProduktpaletteOptiMOS 5
Auch bekannt alsSP005430380, ISC0804NLS
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id59A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0103ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0109ohm
Bauform - TransistorTDSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.6V
Verlustleistung Pd60W
Verlustleistung60W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteOptiMOS 5
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Alternativen für ISC0804NLSATMA1
1 Produkt(e) gefunden
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0103ohm
Bauform - Transistor
TDSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
60W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
59A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0109ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.6V
Verlustleistung
60W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000121
Produktnachverfolgung