Seite drucken
SPD15P10PGBTMA1
HF-FET-Transistor, -100 V, -15 A, 128 W, TO-252
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerSPD15P10PGBTMA1
Bestellnummer2212847
Auch bekannt alsSPD15P10P G, SP000212233
Technisches Datenblatt
2 223 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,910 |
| 10+ | € 1,290 |
| 100+ | € 0,905 |
| 500+ | € 0,722 |
| 1000+ | € 0,663 |
| 5000+ | € 0,564 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 1,91 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerSPD15P10PGBTMA1
Bestellnummer2212847
Auch bekannt alsSPD15P10P G, SP000212233
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds-100V
Dauer-Drainstrom Id-15A
Verlustleistung128W
Betriebsfrequenz, min.-
Betriebsfrequenz, max.-
Bauform - TransistorTO-252
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Kanaltypp-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
SPD15P10P G ist ein p-Kanal-Leistungs-MOSFET für -100V, der durchgängig höchste Qualitäts- und Leistungsanforderungen von Schlüsselspezifikationen für das Stromversorgungsdesign erfüllt, wie z. B. Durchgangswiderstand und Gütezahl.
- Anreicherungstyp
- Avalanche-fähig
- Spannungsänderungsrate dV/dt
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
Anwendungen
Fahrzeugelektronik, Unterhaltungselektronik, Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Computer & Computerperipheriegeräte
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
-100V
Verlustleistung
128W
Betriebsfrequenz, max.
-
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Kanaltyp
p-Kanal
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dauer-Drainstrom Id
-15A
Betriebsfrequenz, min.
-
Bauform - Transistor
TO-252
Betriebstemperatur, max.
175°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000794
Produktnachverfolgung