HIP2100IBZ

HIP2100IBZ ist ein 100V-Hochfrequenz-Halbbrücken-n-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber-IC. Die Low-Side- und High-Side-Gate-Treiber werden unabhängig voneinander gesteuert und abgestimmt auf 8ns. Dadurch wird für eine maximale Flexibilität bei der Totzeitauswahl und beim Treiberprotokoll gesorgt. Der Unterspannungsschutz sowohl an der Low-Side- als auch der High-Side-Stromversorgung zwingen die Ausgänge in den Low-Zustand. Dank einer chipinternen Diode ist keine diskrete Diode mehr erforderlich, wie es bei anderen Treiber-ICs der Fall ist. Eine neue Pegelumsetzer-Topologie nutzt die energiesparenden Vorteile des Impulsbetriebs und die Sicherheit des DC-Betriebs. Im Gegensatz zu Konkurrenzprodukten kehrt der High-Side-Ausgang nach einer kurzzeitigen Unterspannung der High-Side-Versorgung in seinen korrekten Zustand zurück.

• Ansteuerung der n-Kanal-MOSFET-Halbbrücke
• Bootstrap-Versorgungsspannung, max.: 114V DC
• Chipinterne 1R-Bootstrap-Diode
• Kurze Laufzeiten für Schaltungen mit mehreren MHz
• Steuert eine 1000pF-Last mit Anstiegs- und Abfallzeiten von typ. 10ns an
• Schwellenwerte für CMOS-Eingang für verbesserte Störfestigkeit
• Unabhängige Eingänge für Nicht-Halbbrücken-Topologien
• Keine Anlaufprobleme
• Ausgänge nicht betroffen von Glitches der Stromversorgung, HS-Ringing unter Masse oder HS-Anstieg bei hohem dv/dt
• Niedriger Stromverbrauch
• Großer Versorgungsspannungsbereich
• Unterspannungsschutz
• Widerstand am Treiberausgang: 3 Ohm
• Near-Chip-Scale-Gehäuse mit flacherer Bauweise für verbesserten PCB-Wirkungsgrad

Anwendungen

Power-Management

Warnungen und Hinweise

ESD-empfindliche Bauelemente! Handhabung nur mit geeigneten Schutzmaßnahmen!