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HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerDSEI2X61-10B
Bestellnummer9359435
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | € 28,510 |
5+ | € 26,870 |
10+ | € 25,240 |
50+ | € 23,600 |
100+ | € 21,960 |
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerDSEI2X61-10B
Bestellnummer9359435
Technisches Datenblatt
Periodische Spitzensperrspannung1kV
Durchschnittlicher Durchlassstrom60A
Durchlassspannung, max.2.3V
Konfiguration DiodenmodulZweifach, getrennt
Bauform - DiodeSOT-227B
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Durchlassstoßstrom500A
DiodenmontagePanelmontage
Produktpalette-
Produktbeschreibung
The DSEI2X61-10B is a Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) features planar passivated chip, very short recovery time, extremely low switching losses and soft recovery behaviour. Suitable for inductive heating and melting, ultrasonic cleaners and welders.
- High reliability circuit operation
- Low voltage peaks for reduced protection circuits
- Low noise switching
- Low losses
- Operating at lower temperature or space saving by reduced cooling
- 180W at 25°C Total power
Anwendungen
Power-Management, HLK
Technische Spezifikationen
Periodische Spitzensperrspannung
1kV
Durchlassspannung, max.
2.3V
Bauform - Diode
SOT-227B
Betriebstemperatur, max.
150°C
Diodenmontage
Panelmontage
Durchschnittlicher Durchlassstrom
60A
Konfiguration Diodenmodul
Zweifach, getrennt
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Durchlassstoßstrom
500A
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.03
Produktnachverfolgung