IXA12IF1200PB

Beim Modell IXA12IF1200PB handelt es sich um einen robusten XPT-IGBT mit hoher Strombelastbarkeit, hohen Schaltfrequenzen, niedrigen Gesamt-Energieverlusten und kurzen Strom-Abfallzeiten. Der Baustein bietet einen positiven Temperaturkoeffizienten für die Kollektor-Emitter-Spannung, wodurch mehrere Bausteine parallel geschaltet werden können, um höhere Ströme zu erreichen. Dank der niedrigen Gate-Ladungen können zudem die Gate-Treiber-Anforderungen und Schaltverluste reduziert werden. Der Avalanche-fähige Baustein weist quadratische RBSOA bis zu einer Durchbruchspannung von 1200V auf. Diese Robustheit ist erforderlich in hart schaltenden Anwendungen ohne Snubber. Der neue 1200V XPT™-Baustein verfügt über eine antiparallele Sonic-FRD™- oder HiPerFRED™-Diode, die optimiert wurde, um Verluste während des Ausschaltvorgangs zu reduzieren und Ringing-Oszillationen zu unterdrücken. So werden gleichmäßige Signalformen und dabei deutlich weniger elektromagnetische Interferenzen (EMI) erzeugt.

• Easy paralleling due to the positive temperature coefficient of the ON-state voltage
• Thin wafer technology combined with the XPT design results in a competitive low VCE (saturation)
• Very low gate charge
• Low EMI
• Square RBSOA at 3x IC
• Short-circuit rated for 10µs
• SONIC™ diode - Low operating forward voltage, fast and soft reverse recovery

Anwendungen

Motorantrieb & -steuerung, Alternative Energien, Medizinelektronik, Power-Management, HLK, Wartung & Reparatur, Unterhaltungselektronik

Warnungen und Hinweise

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