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IXFH12N100P
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFH12N100P
Bestellnummer3438377
ProduktpalettePolar HiPerFET
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 8,380 |
| 5+ | € 6,600 |
| 10+ | € 4,820 |
| 50+ | € 4,770 |
| 100+ | € 4,710 |
| 250+ | € 4,660 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFH12N100P
Bestellnummer3438377
ProduktpalettePolar HiPerFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds1kV
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.05ohm
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.6.5V
Verlustleistung436W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpalettePolar HiPerFET
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12A
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
436W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
1kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.05ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
6.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
Polar HiPerFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004
Produktnachverfolgung