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IXFN36N100
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 36 A, 1 kV, 0.24 ohm, 10 V, 5 V
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN36N100
Bestellnummer4905556
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 40 Woche(n)
| Menge | |
|---|---|
| 300+ | € 57,730 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 300
Mehrere: 300
€ 17.319,00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN36N100
Bestellnummer4905556
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id36A
Drain-Source-Spannung Vds1kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.24ohm
Bauform - TransistorISOTOP
Rds(on)-Prüfspannung10V
TransistormontageModul
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung700W
Betriebstemperatur, max.150°C
Anzahl der Pins3Pin(s)
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1kV
Bauform - Transistor
ISOTOP
Transistormontage
Modul
Verlustleistung
700W
Anzahl der Pins
3Pin(s)
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Dauer-Drainstrom Id
36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.24ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.046
Produktnachverfolgung