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IXFN55N50
MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 55 A, 500 V, 0.08 ohm, 10 V, 4.5 V
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN55N50
Bestellnummer4905647
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 44 Woche(n)
| Menge | |
|---|---|
| 300+ | € 31,470 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 300
Mehrere: 300
€ 9.441,00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN55N50
Bestellnummer4905647
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id55A
Drain-Source-Spannung Vds500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.08ohm
Bauform - TransistorISOTOP
Rds(on)-Prüfspannung10V
TransistormontageModul
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung600W
Betriebstemperatur, max.150°C
Anzahl der Pins3Pin(s)
Produktpalette-
Produktbeschreibung
Beim Modell IXFN55N50 handelt es sich um einen einfachen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit schneller intrinsischer Diode (HiPerFET™). Dieser MOSFET verwendet ein HDMOS™-Verfahren mit niedrigem statischen Durchgangswiderstand und bietet eine hohe Leistungsdichte. Er eignet sich für DC/DC-Wandler, Lade-ICs, Gleichstromsteller, Schaltnetzteile und Resonanzmodus-Netzteile.
- Gehäuse entspricht internationalem Standard
- MiniBLOC mit Aluminiumnitrid-Isolierung
- Robuste Polysilizium-Gate-Zellen-Struktur
- Ausgelegt für Unclamped Inductive Switching (UIS)
- Niedrige Gehäuseinduktivität
- Einfache Montage
- Platzsparend
- Flammfest gemäß UL94V-0
Anwendungen
Power-Management, Beleuchtung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Bauform - Transistor
ISOTOP
Transistormontage
Modul
Verlustleistung
600W
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
55A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.046
Produktnachverfolgung