Seite drucken
IXFN60N80P
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 60 A, 800 V, 0.14 ohm, 10 V, 5 V
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN60N80P
Bestellnummer1427326
Technisches Datenblatt
Ist nicht mehr auf Lager.
Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN60N80P
Bestellnummer1427326
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id60A
Drain-Source-Spannung Vds800V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung1.04kW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktbeschreibung
Beim Modell IXFN60N80P handelt es sich um einen 800V-n-Kanal-PolarHV™-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp) mit schneller intrinsischer Diode (HiPerFET™). Der beliebteste Leistungs-MOSFET (HiPerFET™) von IXYS eignet sich für hart schaltende und resonante Topologien. Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine niedrige Gate-Ladung und eine hervorragende Robustheit mit einer schnellen intrinsischen Diode aus.
- Epoxidgehäuse ist flammfest gemäß UL94V-0
- miniBLOC mit Aluminiumnitrid-Isolierung
- Diode mit kurzer Erholzeit
- Ausgelegt für Unclamped Inductive Switching (UIS)
- Niedrige Gehäuseinduktivität
- Hohe Leistungsdichte
- Einfache Montage
- Platzsparend
Anwendungen
Industrie
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
800V
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.04kW
Produktpalette
-
Dauer-Drainstrom Id
60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.14ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.03