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IXFN80N60P3
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 66 A, 600 V, 0.077 ohm, 10 V, 5 V
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN80N60P3
Bestellnummer2782974
ProduktpalettePolar3 HiperFET
Technisches Datenblatt
Ist nicht mehr auf Lager.
Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN80N60P3
Bestellnummer2782974
ProduktpalettePolar3 HiperFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id66A
Drain-Source-Spannung Vds600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.077ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung960W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpalettePolar3 HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
960W
Produktpalette
Polar3 HiperFET
Dauer-Drainstrom Id
66A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.077ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.03