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HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFX32N100Q3
Bestellnummer2674769
ProduktpaletteHiperFET
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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Menge | |
---|---|
1+ | € 30,340 |
5+ | € 27,950 |
10+ | € 25,550 |
50+ | € 23,160 |
100+ | € 20,760 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 30,34 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFX32N100Q3
Bestellnummer2674769
ProduktpaletteHiperFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds1kV
Dauer-Drainstrom Id32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.32ohm
Bauform - TransistorPLUS247
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.6.5V
Verlustleistung1.25kW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHiperFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (17-Jan-2023)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
32A
Bauform - Transistor
PLUS247
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.25kW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Drain-Source-Spannung Vds
1kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.32ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
6.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
HiperFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.006
Produktnachverfolgung