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IXGH32N170
IGBT, 75 A, 2.5 V, 350 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXGH32N170
Bestellnummer2674773
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 35 Woche(n)
| Menge | |
|---|---|
| 300+ | € 13,070 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 300
Mehrere: 300
€ 3.921,00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXGH32N170
Bestellnummer2674773
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom75A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.5V
Verlustleistung350W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.7kV
Bauform - TransistorTO-247AD
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
75A
Verlustleistung
350W
Bauform - Transistor
TO-247AD
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.5V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.7kV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.006
Produktnachverfolgung