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IXKN75N60C
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 75A, 600V, 0.03 Ohm, 10V, 3.9V, SOT-227B
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXKN75N60C
Bestellnummer3438400
ProduktpaletteCoolMOS Series
Technisches Datenblatt
Ist nicht mehr auf Lager.
Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXKN75N60C
Bestellnummer3438400
ProduktpaletteCoolMOS Series
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id75A
Drain-Source-Spannung Vds600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.03ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.9V
Verlustleistung560W
Verlustleistung Pd560W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS Series
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Produktbeschreibung
IXKN75N60C is a CoolMOS™ power MOSFET. Typical applications are switched mode power supplies (SMPS), uninterruptible power supplies (UPS), power factor correction (PFC), welding, inductive heating.
- N-channel enhancement mode, low RDSon, high VDSS
- MiniBLOC package, electrically isolated copper base
- Low coupling capacitance to the heatsink for reduced EMI
- High power dissipation due to AlN ceramic substrate
- International standard package SOT-227, easy screw assembly
- High blocking capability, low on resistance
- Avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)
- Low thermal resistance due to reduced chip thickness, enhanced total power density
- Voltage rating VDSS is 600V at TVJ = 25°C to 150°C, current rating ID25 is 75A at TC = 25°C
- Resistor RDS(on) is 36mohm at VGS = 10V, ID = ID90
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
75A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
560W
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.03ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.9V
Verlustleistung Pd
560W
Produktpalette
CoolMOS Series
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004