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MGV2520124R7M-10
Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, 1.55 A, Geschirmt, 1.9 A, MGV2520 Series
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerLAIRD
HerstellerteilenummerMGV2520124R7M-10
Bestellnummer3604993RL
ProduktpaletteMGV2520 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 0,192 |
| 500+ | € 0,161 |
| 2500+ | € 0,145 |
| 7500+ | € 0,132 |
| 15000+ | € 0,124 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 10
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Produktspezifikationen
HerstellerLAIRD
HerstellerteilenummerMGV2520124R7M-10
Bestellnummer3604993RL
ProduktpaletteMGV2520 Series
Technisches Datenblatt
Induktivität4.7µH
RMS-Strom Irms1.55A
Bauart der InduktivitätGeschirmt
Sättigungsstrom (Isat)1.9A
ProduktpaletteMGV2520 Series
Bauform/Gehäuse der Induktivität1008 [Metrisch 2520]
Bauform - Leistungsinduktivität1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.0.235ohm
Induktivitätstoleranz± 20%
Produktlänge2.5mm
Produktbreite2mm
Produkthöhe1.2mm
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Induktivität
4.7µH
Bauart der Induktivität
Geschirmt
Produktpalette
MGV2520 Series
Bauform - Leistungsinduktivität
1008 [Metrisch 2520]
Induktivitätstoleranz
± 20%
Produktbreite
2mm
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
RMS-Strom Irms
1.55A
Sättigungsstrom (Isat)
1.9A
Bauform/Gehäuse der Induktivität
1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.
0.235ohm
Produktlänge
2.5mm
Produkthöhe
1.2mm
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005
Produktnachverfolgung