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MGV252012S1R0M-10
Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 3.9 A, Geschirmt, 4.3 A, MGV2520 Series, 1008 [Metrisch 2520]
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerLAIRD
HerstellerteilenummerMGV252012S1R0M-10
Bestellnummer3604996
ProduktpaletteMGV2520 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | € 0,261 |
| 100+ | € 0,229 |
| 500+ | € 0,210 |
| 2500+ | € 0,181 |
| 7500+ | € 0,165 |
| 15000+ | € 0,155 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 10
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Produktspezifikationen
HerstellerLAIRD
HerstellerteilenummerMGV252012S1R0M-10
Bestellnummer3604996
ProduktpaletteMGV2520 Series
Technisches Datenblatt
Induktivität1µH
RMS-Strom Irms3.9A
Bauart der InduktivitätGeschirmt
Sättigungsstrom (Isat)4.3A
ProduktpaletteMGV2520 Series
Bauform - Leistungsinduktivität1008 [Metrisch 2520]
Bauform/Gehäuse der Induktivität1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.0.044ohm
Induktivitätstoleranz± 20%
Produktlänge2.5mm
Produktbreite2mm
Produkthöhe1.2mm
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Induktivität
1µH
Bauart der Induktivität
Geschirmt
Produktpalette
MGV2520 Series
Bauform/Gehäuse der Induktivität
1008 [Metrisch 2520]
Induktivitätstoleranz
± 20%
Produktbreite
2mm
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
RMS-Strom Irms
3.9A
Sättigungsstrom (Isat)
4.3A
Bauform - Leistungsinduktivität
1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.
0.044ohm
Produktlänge
2.5mm
Produkthöhe
1.2mm
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005
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