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IXFN120N65X2
MOSFET, MODULE, N-CH, 650V, 108A
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXFN120N65X2
Bestellnummer3949051
ProduktpaletteHiPerFET X2 Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 39 Woche(n)
Lieferkosten: € 25,00 pro Bestellung. Lieferzeit von 3 Werktagen für vorrätige Artikel.
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 46,210 |
| 5+ | € 43,620 |
| 10+ | € 41,050 |
| 25+ | € 38,470 |
| 100+ | € 35,900 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 46,21 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXFN120N65X2
Bestellnummer3949051
ProduktpaletteHiPerFET X2 Series
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätN Channel
KanaltypN Channel
Dauer-Drainstrom Id108A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.024ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung890W
Verlustleistung Pd890W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHiPerFET X2 Series
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
N Channel
Dauer-Drainstrom Id
108A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
890W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Kanaltyp
N Channel
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.024ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Verlustleistung Pd
890W
Produktpalette
HiPerFET X2 Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.039917
Produktnachverfolgung