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IXFN210N30P3
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 42,600 |
| 5+ | € 40,470 |
| 10+ | € 34,300 |
| 50+ | € 30,110 |
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXFN210N30P3
Bestellnummer3930486
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id192A
Drain-Source-Spannung Vds300V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0145ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0145ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung1.5kW
Verlustleistung Pd1.5kW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic rectifier. It Is suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Dynamic dv/dt rating
- Low RDS(on)
- Low drain-to-tab capacitance
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
192A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0145ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.5kW
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
300V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0145ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Verlustleistung Pd
1.5kW
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung