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IXFN210N30X3
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 210 A, 300 V, 0.0038 ohm, 10 V, 4.5 V
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 39,160 |
| 5+ | € 36,780 |
| 10+ | € 34,410 |
| 50+ | € 32,030 |
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXFN210N30X3
Bestellnummer3930190
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id210A
Drain-Source-Spannung Vds300V
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0038ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung695W
Verlustleistung Pd695W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
N-channel enhancement mode avalanche rated fast X3-Class HiPerFET™ power MOSFET. It Is suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, robotics and servo controls applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
210A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
695W
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
300V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0038ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Verlustleistung Pd
695W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung