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IXFN90N85X
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 90 A, 850 V, 0.041 ohm, 10 V, 5.5 V
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| Menge | |
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| 5+ | € 46,350 |
| 10+ | € 43,250 |
| 50+ | € 40,140 |
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXFN90N85X
Bestellnummer3930244
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id90A
Drain-Source-Spannung Vds850V
Betriebswiderstand, Rds(on)0.041ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.041ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.5V
Verlustleistung1.2kW
Verlustleistung Pd1.2kW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor control, robotics and servo controls application.
- X-Class HiPerFET™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
90A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.041ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.2kW
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
850V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.041ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.5V
Verlustleistung Pd
1.2kW
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung