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IXTN200N10L2
MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXTN200N10L2
Bestellnummer3771792
ProduktpaletteLinearL2 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 47,460 |
| 5+ | € 41,650 |
| 10+ | € 35,840 |
| 25+ | € 35,130 |
| 50+ | € 34,410 |
| 100+ | € 33,700 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXTN200N10L2
Bestellnummer3771792
ProduktpaletteLinearL2 Series
Technisches Datenblatt
KanaltypN Channel
Dauer-Drainstrom Id178A
Drain-Source-Spannung Vds100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.011ohm
Bauform - TransistorSOT-227
Rds(on)-Prüfspannung10V
TransistormontageModule
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung830W
Betriebstemperatur, max.150°C
Anzahl der Pins4Pin(s)
Qualifikation-
ProduktpaletteLinearL2 Series
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
N Channel
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Bauform - Transistor
SOT-227
Transistormontage
Module
Verlustleistung
830W
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
LinearL2 Series
Dauer-Drainstrom Id
178A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.023587