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IXTN40P50P
MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 33,410 |
| 5+ | € 29,110 |
| 10+ | € 24,800 |
| 50+ | € 23,900 |
| 100+ | € 23,000 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXTN40P50P
Bestellnummer3930196
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätp-Kanal
Kanaltypp-Kanal
Dauer-Drainstrom Id40A
Drain-Source-Spannung Vds500V
Betriebswiderstand, Rds(on)0.23ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.23ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung890W
Verlustleistung Pd890W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
P-channel enhancement mode avalanche rated PolarP™ power MOSFET suitable for use in high-side switches, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Rugged PolarP™ process
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
40A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.23ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
890W
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.23ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Verlustleistung Pd
890W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung