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IXYP20N65C3D1
IGBT, 50 A, 2.27 V, 200 W, 650 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 4,000 |
| 10+ | € 2,070 |
| 100+ | € 1,880 |
| 500+ | € 1,730 |
| 1000+ | € 1,570 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXYP20N65C3D1
Bestellnummer3930255
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom50A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.27V
Verlustleistung200W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-220AB
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Extreme light punch through IGBT for 20-60KHz switching suitable for use in power inverters, UPS, motor drives, SMPS, PFC circuits, battery chargers, welding machines, lamp ballasts, high frequency power inverters applications.
- XPT™ 650V GenX3™ w/diode
- Square RBSOA
- Avalanche rated
- Anti-parallel sonic diode
- Short circuit capability
- High power density
- Extremely rugged
- Low gate drive requirement
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
50A
Verlustleistung
200W
Bauform - Transistor
TO-220AB
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.27V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung