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MT53E1G32D2FW-046 AUT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53E1G32D2FW-046 AUT:B
Bestellnummer4050869
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | |
|---|---|
| 1360+ | € 81,490 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1360
Mehrere: 1360
€ 110.826,40 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53E1G32D2FW-046 AUT:B
Bestellnummer4050869
Technisches Datenblatt
DRAM-AusführungMobile LPDDR4
Speicherdichte32Gbit
Speicherkonfiguration1G x 32 Bit
Taktfrequenz, max.2.133GHz
IC-Gehäuse / BauformTFBGA
Anzahl der Pins200Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.1.1V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.125°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktbeschreibung
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B is a LPDDR4 SDRAM. It is a 16Gb high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This memory is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks. It has on-chip temperature sensor to control self refresh rate and programmable READ and WRITE latencies (RL/WL). This memory has directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling. It has single-data-rate CMD/ADR entry with programmable VSS (ODT) termination.
- Operating voltage range is 1.10V (VDD2) / 0.60V or 1.10V (VDDQ)
- 1Gig x 32 configuration, LPDDR4, 2die addressing, clock-stop capability
- Packaging style is 200-ball TFBGA 10 x 14.5 x 1.1mm (Ø0.40 SMD)
- Cycle time is 046 = 468ps, ᵗCK RL = 36/40
- Operating temperature range is –40°C to +125°C, automotive certified, b design
- Clock rate is 2133MHz, data rate is 4266Mb/s, 16n prefetch DDR architecture
- Frequency range is 2133–10 MHz (data rate range per pin: 4266–20Mb/s)
- 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Partial-array self refresh (PASR), selectable output drive strength (DS)
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
Mobile LPDDR4
Speicherkonfiguration
1G x 32 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
TFBGA
Versorgungsspannung, nom.
1.1V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
Speicherdichte
32Gbit
Taktfrequenz, max.
2.133GHz
Anzahl der Pins
200Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
125°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000907
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