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Menge | |
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50+ | € 17,860 |
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Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT62F768M32D2DS-023 WT:B
Bestellnummer4163500
DRAM-AusführungMobile LPDDR5
Speicherdichte24Gbit
Speicherkonfiguration768M x 32 Bit
Taktfrequenz, max.4.266GHz
IC-Gehäuse / BauformFBGA
Anzahl der Pins-
Versorgungsspannung, nom.1.05V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-25°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktbeschreibung
- Mobile LPDDR5/LPDDR5X SDRAM
- 17.1GB/s maximum bandwidth per channel, selectable CKR (WCK:CK = 2:1 or 4:1) architecture
- Background ZQ calibration/command-based ZQ calibration, link protection (link ECC) support
- I/O type: Low-swing single-ended, VSS terminated, VOH-compensated output drive, DVFSQ support
- Dynamic voltage frequency scaling core, single-ended CK, single-ended WCK, and single-ended RDQS
- Operating voltage is 1.05V VDD2H / 0.5V VDDQ
- 768 Meg x 32 configuration, 2 die
- 315-ball TFBGA package
- 3GB (24Gb) total density, 8533Mb/s data rate per pin
- Operating temperature rating range from -25°C ≤ Tc ≤ +85°C
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
Mobile LPDDR5
Speicherkonfiguration
768M x 32 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
FBGA
Versorgungsspannung, nom.
1.05V
Betriebstemperatur, min.
-25°C
Produktpalette
-
Speicherdichte
24Gbit
Taktfrequenz, max.
4.266GHz
Anzahl der Pins
-
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005411