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2N7002
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMULTICOMP PRO
Herstellerteilenummer2N7002
Bestellnummer4295174
ProduktpaletteMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,110 |
| 10+ | € 0,088 |
| 100+ | € 0,063 |
| 500+ | € 0,044 |
| 1000+ | € 0,031 |
| 5000+ | € 0,027 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerMULTICOMP PRO
Herstellerteilenummer2N7002
Bestellnummer4295174
ProduktpaletteMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand5ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung225mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
These N-channel enhancement mode field-effect transistors are manufactured with high cell density DMOS technology. They are designed to minimize on-state resistance while delivering rugged, reliable, and fast switching performance. These transistors are especially well-suited for low-voltage, low-current applications, including small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.
- High Density Cell Design for Low RDS(on)
- Voltage Controlled Small Signal Switch
- Rugged and Reliable
- High Saturation Current Capability
- ESD Protection Level: HBM <gt/> 100 V, CDM <gt/> 2 kV
- This Device is Pb−Free and Halogen Free
Anwendungen
Tragbare Geräte, Netzteile, DC/DC-Wandler, Wireless-Charging
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
115mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
225mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
5ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
Multicomp Pro N Channel MOSFETs
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000009
Produktnachverfolgung