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DFE201610E-100M=P2
Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 750 mA, DFE201610E Series, 0806 [Metrisch 2016]
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMURATA
HerstellerteilenummerDFE201610E-100M=P2
Bestellnummer2776800RL
ProduktpaletteDFE201610E Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 50+ | € 0,191 |
| 250+ | € 0,157 |
| 500+ | € 0,144 |
| 1500+ | € 0,130 |
| 3000+ | € 0,115 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerMURATA
HerstellerteilenummerDFE201610E-100M=P2
Bestellnummer2776800RL
ProduktpaletteDFE201610E Series
Technisches Datenblatt
Induktivität10µH
RMS-Strom Irms-
Bauart der InduktivitätGeschirmt
Sättigungsstrom (Isat)750mA
ProduktpaletteDFE201610E Series
Bauform/Gehäuse der Induktivität0806 [Metrisch 2016]
DC-Widerstand, max.0.78ohm
Induktivitätstoleranz± 20%
Produktlänge2mm
Produktbreite1.6mm
Produkthöhe1mm
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Induktivität
10µH
Bauart der Induktivität
Geschirmt
Produktpalette
DFE201610E Series
DC-Widerstand, max.
0.78ohm
Produktlänge
2mm
Produkthöhe
1mm
RMS-Strom Irms
-
Sättigungsstrom (Isat)
750mA
Bauform/Gehäuse der Induktivität
0806 [Metrisch 2016]
Induktivitätstoleranz
± 20%
Produktbreite
1.6mm
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Alternativen für DFE201610E-100M=P2
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.03
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