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DFE252012PD-1R0M=P2
Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 3.8 A, DFE252012P_D Series
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMURATA
HerstellerteilenummerDFE252012PD-1R0M=P2
Bestellnummer2871482RL
ProduktpaletteDFE252012P_D Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 50+ | € 0,317 |
| 250+ | € 0,261 |
| 500+ | € 0,236 |
| 1500+ | € 0,211 |
| 3000+ | € 0,187 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerMURATA
HerstellerteilenummerDFE252012PD-1R0M=P2
Bestellnummer2871482RL
ProduktpaletteDFE252012P_D Series
Technisches Datenblatt
Induktivität1µH
RMS-Strom Irms-
Bauart der InduktivitätGeschirmt
Sättigungsstrom (Isat)3.8A
ProduktpaletteDFE252012P_D Series
Bauform/Gehäuse der Induktivität-
DC-Widerstand, max.0.042ohm
Induktivitätstoleranz± 20%
Produktlänge2.5mm
Produktbreite2mm
Produkthöhe1.2mm
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Induktivität
1µH
Bauart der Induktivität
Geschirmt
Produktpalette
DFE252012P_D Series
DC-Widerstand, max.
0.042ohm
Produktlänge
2.5mm
Produkthöhe
1.2mm
RMS-Strom Irms
-
Sättigungsstrom (Isat)
3.8A
Bauform/Gehäuse der Induktivität
-
Induktivitätstoleranz
± 20%
Produktbreite
2mm
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000029
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