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BC857CW,115
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,129 |
| 50+ | € 0,0704 |
| 100+ | € 0,0496 |
| 500+ | € 0,0327 |
| 1500+ | € 0,0248 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBC857CW,115
Bestellnummer1907655
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.45V
Dauerkollektorstrom100mA
Verlustleistung200mW
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz-
DC-Stromverstärkung (hFE), min.420hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
BC857CW ist ein PNP-Transistor in einem Kunststoffgehäuse, der sich für den Einsatz in universellen Schalt- und Verstärkungsanwendungen eignet.
- NPN-Ergänzungen: BC846W, BC847W und BC848W
- Markierungscode: 3G
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
SOT-323
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
420hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
45V
Verlustleistung
200mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
-
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000051
Produktnachverfolgung