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BCP69,115
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 3000+ | € 0,0936 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBCP69,115
Bestellnummer2336788
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.20V
Dauer-Kollektorstrom2A
Verlustleistung650mW
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
Übergangsfrequenz140MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.85hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
BCP69,115 ist ein 2A-PNP-Transistor für den mittleren Leistungsbereich in einem Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Dieser Transistor bietet einen freiliegenden Kühlkörper für hervorragende Wärmeleitfähigkeit sowie elektrische Leitfähigkeit.
- Hochstrom
- Drei Stromverstärkungen zur Auswahl
- Hohe Verlustleistung
- Markierungscode: BCP69
- Komplementärer PNP-Baustein: BCP68
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauer-Kollektorstrom
2A
Bauform - Transistor
SOT-223
Anzahl der Pins
4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
85hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
20V
Verlustleistung
650mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
140MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00012
Produktnachverfolgung