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BSP50,115
Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 45 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 3 Pin(s)
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| Menge | |
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| 200+ | € 0,343 |
| 500+ | € 0,267 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBSP50,115
Bestellnummer1757924RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.45V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo45V
Verlustleistung Pd1.25W
Dauerkollektorstrom1A
Verlustleistung1.25W
DC-Kollektorstrom1A
Bauform - HF-TransistorSOT-223
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE2000hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.2000hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
BSP50,115 ist ein NPN-Darlington-Transistor in einem Kunststoffgehäuse, der sich zur Verwendung in Schalt- und linearen Verstärkungsanwendungen eignet.
- Hochstrom
- Niedrige Spannung
- Diode und Widerstand integriert
- PNP-Ergänzungen: BSP60, BSP61 und BSP62
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
45V
Dauerkollektorstrom
1A
DC-Kollektorstrom
1A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
2000hFE
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
45V
Verlustleistung Pd
1.25W
Verlustleistung
1.25W
Bauform - HF-Transistor
SOT-223
DC-Stromverstärkung hFE
2000hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000265
Produktnachverfolgung