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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBSP52,115
Bestellnummer1757926
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo80V
Verlustleistung Pd1.25W
DC-Kollektorstrom1A
Bauform - HF-TransistorSOT-223
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE2000hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
BSP52,115 ist ein NPN-Darlington-Transistor in einem Kunststoffgehäuse, der sich zur Verwendung in Schalt- und linearen Verstärkungsanwendungen eignet.
- Hochstrom
- Niedrige Spannung
- Diode und Widerstand integriert
- PNP-Ergänzungen: BSP60, BSP61 und BSP62
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Verlustleistung Pd
1.25W
Bauform - HF-Transistor
SOT-223
DC-Stromverstärkung hFE
2000hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
80V
DC-Kollektorstrom
1A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BSP52,115
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000408
Produktnachverfolgung