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BUK6D385-100EX
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.28 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,467 |
| 10+ | € 0,294 |
| 100+ | € 0,168 |
| 500+ | € 0,166 |
| 1000+ | € 0,145 |
| 5000+ | € 0,108 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBUK6D385-100EX
Bestellnummer3132369
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.28ohm
Bauform - TransistorDFN2020MD
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.7V
Verlustleistung15W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
Produktbeschreibung
Anwendungen
Medizinelektronik
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.7A
Bauform - Transistor
DFN2020MD
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
15W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.28ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.7V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004749
Produktnachverfolgung