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NXV55UNR
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.066 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerNXV55UNR
Bestellnummer3617842
ProduktpaletteTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id1.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.066ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.600mV
Verlustleistung340mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrench
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktbeschreibung
NXV55UNR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Low threshold voltage, very fast switching
- Drain-source voltage is 30V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 8V maximum
- Drain current is 2.3A max at VGS = 4.5V; Tamb = 25°C; t ≤ 5s
- Peak drain current is 7.6A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Total power dissipation is 340mW max at Tamb = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 50mohm typ at VGS = 4.5V; ID = 1.9A; Tj = 25°C
- Source-drain voltage is 0.6V typ at IS = 0.4A; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Total gate charge is 5.8nC typ at VDS = 15V; ID = 1.9A; VGS = 4.5V; Tj = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1.9A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
340mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.066ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
600mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
Trench
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung