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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPBHV8115T,215
Bestellnummer2439495
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.150V
Dauerkollektorstrom1A
Verlustleistung300mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz30MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.250hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
PBHV8115T ist ein 1A-NPN-BISS (Breakthrough-In Small Signal)-Transistor in einem kleinen Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage.
- Hochspannung
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCEsat)
- Hohe Kollektorstrombelastbarkeit, IC und ICM
- Hohe Kollektorstromverstärkung (hFE) bei hohem IC
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
- Markierungscode: W6
Anwendungen
Industrie, Beleuchtung, Fahrzeugelektronik, Motorantrieb & -steuerung, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
1A
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
250hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
150V
Verlustleistung
300mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
30MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung