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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPBSS4120T,215
Bestellnummer8736162
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.20V
Dauer-Kollektorstrom1A
Verlustleistung300mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz-MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.470hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The PBSS4120T is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a plastic package provides ultra-low VCEsat and RCEsat parameters. It is suitable for use with the peripheral driver in low supply voltage applications and inductive load drivers.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High efficiency leading to less heat generation
- Reduced printed-circuit board requirements
- PNP complement is PBSS5120T
- 3B Marking code
Anwendungen
Industrie, Unterhaltungselektronik, Beleuchtung, Signalverarbeitung, Motorantrieb & -steuerung, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
1A
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
470hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
20V
Verlustleistung
300mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
-MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
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