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PBSS5130PAP,115
Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 1 A
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| Menge | |
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| 10+ | € 0,497 |
| 100+ | € 0,329 |
| 500+ | € 0,238 |
| 1000+ | € 0,204 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPBSS5130PAP,115
Bestellnummer2291483
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach pnp
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.-
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP1A
Verlustleistung, NPN-
Verlustleistung, PNP2W
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.-
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.120hFE
Bauform - TransistorSOT-1118
Anzahl der Pins6Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN-
Übergangsfrequenz, PNP125MHz
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach pnp
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
1A
Verlustleistung, PNP
2W
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
120hFE
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
125MHz
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
-
Verlustleistung, NPN
-
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
-
Bauform - Transistor
SOT-1118
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
-
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000002
Produktnachverfolgung