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PBSS5540X,135
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 550 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPBSS5540X,135
Bestellnummer8736626RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauer-Kollektorstrom5A
Verlustleistung550mW
Bauform - TransistorSOT-89
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz-MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.250hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
PBSS5540X ist ein 5A-PNP-BISS-Transistor (Breakthrough-In Small Signal) in einem Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Dieser Baustein verfügt über ein Kollektor-Pad für eine gute Wärmeübertragung.
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCEsat)
- Hohe Kollektorstrombelastbarkeit: IC und ICM
- Hoher Wirkungsgrad führt zu geringerer Wärmeerzeugung
- Markierungscode: 1G
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Signalverarbeitung, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauer-Kollektorstrom
5A
Bauform - Transistor
SOT-89
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
250hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
550mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
-MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00005
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