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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPHT6NQ10T,135
Bestellnummer1758092RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.09ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung8.3W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell PHT6NQ10T handelt es sich um einen 100V-n-Kanal-Standardpegel-FET (Anreicherungstyp) mit TrenchMOS-Technologie. Er zeichnet sich durch niedrige Leitungsverluste aufgrund des niedrigen Durchgangswiderstands und eine höhere Betriebsleistung aufgrund des niedrigen Wärmewiderstands aus. Er eignet sich zur Verwendung in DC/DC-Wandlern sowie Motor- und Relaistreiberanwendungen.
- Sperrschichttemperatur: 150°C
- Aufgrund der hohen Schaltfrequenz geeignet für Hochfrequenzanwendungen
Anwendungen
Power-Management, Industrie, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3A
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
8.3W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.09ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000197
Produktnachverfolgung