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PMV32UP,215
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMV32UP,215
Bestellnummer1894624RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.036ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.700mV
Verlustleistung510mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
Produktbeschreibung
Beim Modell PMV32UP handelt es sich um einen p-Kanal-FET (Anreicherungstyp) in einem kleinen Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Dieser FET verwendet die Trench MOSFET-Technologie und eignet sich für Relaistreiber und High-Speed-Leitungstreiber sowie High-Side-Lastschalt- und Schaltanwendungen.
- Nomineller Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8V
- Sehr hohe Schaltfrequenz
- Sperrschichttemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
510mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.036ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
700mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Alternativen für PMV32UP,215
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000127
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