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PSMN033-100HLX
Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPSMN033-100HLX
Bestellnummer4078668RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal100V
Drain-Source-Spannung Vds100V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal100V
Dauer-Drainstrom Id26A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal26A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.031ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-
Bauform - TransistorLFPAK56D
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal64W
Verlustleistung, p-Kanal64W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Dauer-Drainstrom Id
26A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
-
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
64W
Produktpalette
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
100V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.031ohm
Bauform - Transistor
LFPAK56D
Verlustleistung, n-Kanal
64W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000272
Produktnachverfolgung