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PSMN1R0-100ASFJ
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 990 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | € 6,780 |
| 50+ | € 6,310 |
| 100+ | € 5,890 |
| 250+ | € 5,770 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPSMN1R0-100ASFJ
Bestellnummer4574208RL
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id460A
Drain-Source-Durchgangswiderstand990µohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung1.55kW
Anzahl der Pins12Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
990µohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
12Pin(s)
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Dauer-Drainstrom Id
460A
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.55kW
Betriebstemperatur, max.
175°C
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung