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PSMN2R8-40YSBX
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 200+ | € 0,590 |
| 500+ | € 0,465 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPSMN2R8-40YSBX
Bestellnummer4379041RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id160A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0028ohm
Bauform - TransistorSOT-669
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.6V
Verlustleistung147W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
160A
Bauform - Transistor
SOT-669
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
147W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0028ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.6V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001