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PSMN2R8-80SSF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 205 A, 0.0028 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPSMN2R8-80SSF
Bestellnummer4538840
ProduktpaletteNextPower Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 3,310 |
| 10+ | € 2,790 |
| 100+ | € 2,250 |
| 500+ | € 2,000 |
| 1000+ | € 1,710 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 3,31 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPSMN2R8-80SSF
Bestellnummer4538840
ProduktpaletteNextPower Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id205A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0028ohm
Bauform - TransistorLFPAK88
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung341W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteNextPower Series
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
205A
Bauform - Transistor
LFPAK88
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
341W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0028ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
NextPower Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Morocco
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Morocco
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001