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PSMN9R8-100YSFX
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0083 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPSMN9R8-100YSFX
Bestellnummer4245901RL
ProduktpaletteNextPower Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 0,779 |
| 500+ | € 0,629 |
| 1000+ | € 0,528 |
| 5000+ | € 0,495 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPSMN9R8-100YSFX
Bestellnummer4245901RL
ProduktpaletteNextPower Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id80A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0083ohm
Bauform - TransistorSOT-669
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung147W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteNextPower Series
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
80A
Bauform - Transistor
SOT-669
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
147W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0083ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
NextPower Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung