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PXN8R3-30QLJ
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 7100 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Bestellbar
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| Menge | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,156 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPXN8R3-30QLJ
Bestellnummer3617863RL
ProduktpaletteTrench
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id11.4A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0071ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand7100µohm
Bauform - TransistorMLPAK33
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.7V
Verlustleistung12.5W
Verlustleistung Pd12.5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrench
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0071ohm
Bauform - Transistor
MLPAK33
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
12.5W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
Trench
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
11.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
7100µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.7V
Verlustleistung Pd
12.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000004
Produktnachverfolgung