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PXP012-30QLJ
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.2 A, 0.0111 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPXP012-30QLJ
Bestellnummer3934789
ProduktpaletteProduktreihe Trench
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,648 |
| 50+ | € 0,503 |
| 100+ | € 0,347 |
| 500+ | € 0,266 |
| 1500+ | € 0,228 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPXP012-30QLJ
Bestellnummer3934789
ProduktpaletteProduktreihe Trench
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id15.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0111ohm
Bauform - TransistorMLPAK33
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung4.8W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteProduktreihe Trench
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
15.2A
Bauform - Transistor
MLPAK33
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
4.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0111ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
Produktreihe Trench
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0002
Produktnachverfolgung