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AFM907NT1
HF-FET-Transistor, LDMOS, 30 VDC, 65.7 W, 136 MHz, 941 MHz, DFN
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| Menge | |
|---|---|
| 1000+ | € 1,510 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNXP
HerstellerteilenummerAFM907NT1
Bestellnummer2805099RL
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds30VDC
Dauer-Drainstrom Id-
Verlustleistung65.7W
Betriebsfrequenz, min.136MHz
Betriebsfrequenz, max.941MHz
Bauform - TransistorDFN
Anzahl der Pins16Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
30VDC
Verlustleistung
65.7W
Betriebsfrequenz, max.
941MHz
Anzahl der Pins
16Pin(s)
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dauer-Drainstrom Id
-
Betriebsfrequenz, min.
136MHz
Bauform - Transistor
DFN
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.013158
Produktnachverfolgung