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AFV10700HSR5
HF-FET-Transistor, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780S
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerNXP
HerstellerteilenummerAFV10700HSR5
Bestellnummer2805098
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds105VDC
Dauer-Drainstrom Id-
Verlustleistung526W
Betriebsfrequenz, min.1.03GHz
Betriebsfrequenz, max.1.09GHz
Bauform - TransistorNI-780S
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageFlanschklemme
Produktpalette-
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
105VDC
Verlustleistung
526W
Betriebsfrequenz, max.
1.09GHz
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dauer-Drainstrom Id
-
Betriebsfrequenz, min.
1.03GHz
Bauform - Transistor
NI-780S
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Flanschklemme
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.013158
Produktnachverfolgung