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BFG591
Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 7 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerNXP
HerstellerteilenummerBFG591
Bestellnummer1081291
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.15V
Übergangsfrequenz7GHz
Verlustleistung2W
Dauerkollektorstrom200mA
Bauform - TransistorSOT-223
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.90hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
The BFG591 is a NPN silicon planar epitaxial Wideband Transistor features high power gain and low noise figure. Intended for applications in the GHz range such as MATV or CATV amplifiers.
- High transition frequency
- Gold metallization ensures excellent reliability
Anwendungen
HF-Kommunikation
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Übergangsfrequenz
7GHz
Dauerkollektorstrom
200mA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
15V
Verlustleistung
2W
Bauform - Transistor
SOT-223
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
90hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Netherlands
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Netherlands
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000264